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2002年，一些科学家正在为开发一种新型半导体材料而共同努力。这种新材料可以使通信卫星在太空具有以极高速率传输数据的能力，这种新材料叫做磷化铟( InP)。

磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、耐辐射性能好、导热好的优点，与砷化镓半导体材料相比，它具有击穿电场、热导率、电子平均速度均高的特点。

磷化铟半导体材料具有宽禁带结构，并且电子在通过InP 材料时速度快，这意味着用这种材料制作的器件能够放大更高频率或更短波长的信号。因此利用磷化铟芯片制造的卫星信号接收机和放大器可以工作在100GHz 以上的极高频率, 并且有很宽的带宽，受外界影响较小，稳定性很高。因此, 磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料, 有可能推动卫星通信业向更高频段发展。

此外，目前光通信器件主要采用磷化铟基材料，数码率很高、波长单色性很好的磷化铟基激光器、调制器、探测器及其模块已广泛应用于光网络，从而推动互联网数据信息传输量的飞速发展，不断满足人们对网络向更高速度和更宽带宽方向发展的要求。